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长鑫存储已经开始生产19nm计算机存储器

发布时间: 2022-07-02 20:35:43 来源:火狐体育官方外围直播 作者:火狐体育赛事

  据AnandTech报道,长鑫存储技术有限公司(CXMT)已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器,且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图,计划在未来生产各种类型的动态随机存储器(DRAM)。除此之外,长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂来提高产量

  长鑫存储以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标,2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。目前,项目已通过层层评审,并获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

  目前长鑫存储的月产能约为2万片晶圆,但随着该公司订单量的增长,产量也将逐渐提升。预计到 2020年底,其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆(12英寸)。

  长鑫存储表示,其77%员工都是从事研发相关工作的工程师。今年5月,长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示,从技术来源角度,合肥长鑫与奇梦达合作,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中。现如今已经完成了早期积累。

  据了解,长鑫存储正在使用其 10G1 技术(19 nm 工艺)来制造4 Gb和8 Gb DDR4存储器芯片,目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场,该技术将用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存储器。

  从路线图来看,长鑫存储还规划了针对DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3(17 nm工艺)产品。预计CXMT 10G5工艺将使用 HKMG 和气隙位线技术,并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻(EUVL)工艺。

  此前该公司计划于2019年初开始生产DDR4内存,但新路线图已经推迟了一年。最后,该公司还计划再建两座DRAM晶圆厂。

  2021年下半年,原本应该进入传统的消费电子产品的拉货旺季,但由于前期终端库存量增加而需求并未跟上,导致时至今日产业链都处于去库存的阶段,半导体行业作为上游产业也进入了较为低迷的行情阶段,其中半导体封测厂商从满产满销到订单大幅下滑,感受尤为明显。同时,包括苏州、深圳、东莞、上海、昆山等国内半导体封测供应链重镇都陆续暴发疫情,对企业的生产运营、物流运输也产生了不小的影响。可以说,现阶段多数国内半导体封测厂商都面临来自供需两端的双重压力。值得一提的是,虽然整体并不乐观,但仍有部分细分应用领域处于高速发展的状态,而存储器就是其中的代表领域,当前国内存储器国产化率较低,但整体产业链已经有了非常大的进展,进入快速放量和持续扩产的阶段,前景非常

  加速扩产,国内封测厂商喜提业绩新增长点? /

  4月2日,合肥市发布了2021年国民经济和社会发展统计公报。初步核算,全年生产总值(GDP)11412.80亿元,按可比价格计算,比上年增长9.2%。全年规模以上工业中,高技术制造业增加值比上年增长38.0%,占规模以上工业增加值比重为31.9%;战略性新兴产业产值增长28.3%,其中生物产业增长1倍,新一代信息技术、新能源汽车、数字创意产业分别增长27.1%、45.4%和62.9%。分行业看,37个工业大类行业有28个增加值保持增长。六大主导产业增加值比上年增长19.8%,占规模以上工业的66.6%,其中平板显示及电子信息产业增长32.4%、装备制造产业增长18.4%。规模以上工业统计的主要产品产量中,集成电路比上年增长68.5%

  、晶合二期等带动十亿元以上项目投资 /

  据《电子时报》报道援引上述人士称,长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%,预计将在2022年晚些时候逐步提高。据其计划,将在2022年下半年将月产量提高到6万至8万片12英寸晶圆。长鑫存储将17nm工艺节点作为下一代主流制造技术。该人士认为,当其17nm制程成品率提高到成熟水平时,将能够提高DDR3和DDR4产能,并将在专业DRAM领域与包括南亚科技和华邦电子在内的中国台湾同行展开直接竞争。南亚科技和华邦电子均计划建立各自的12英寸晶圆厂,用于生产专业DRAM芯片,新晶圆厂计划于2024年投产。在规模较大的国际同行纷纷退出低密度DRAM市场之际,两家公司都做出了兴建新晶圆厂的决定。华邦电子于2018年在台湾南部的高雄破土动工兴建

  随着三星电子和其他主要DRAM芯片制造商计划逐步淘汰DDR3产线,供应商数量急剧下降,中国厂商则在此之际计划大举进军DDR3市场。据《电子时报》援引业内人士透露,今年11月起,长鑫存储将开始为Nor Flash供应商兆易创新的DDR3产品提供产能,双方计划合作进入DDR3领域。该人士进一步指出,长鑫存储将主要采用17nm制程工艺来生产DDR3内存,产品目前仍在位于中国本土的OSAT工厂进行验证,预计从2022年第一季度下半年开始,OSAT厂将增加DDR3的产量。除了兆易创新外,中国台湾地区的晶豪、钰创也已与力积电等代工厂合作生产DDR3产品,南亚和华邦电则自产DDR3产品。有猜测称,部分封测大厂已经从中国芯片厂获得了DDR3内存的订

  近日,深圳思谋信息科技有限公司(以下简称:思谋科技)宣布完成2亿美元B轮融资,本轮融资的投资方包括了IDG、基石、红杉中国、松禾、联想创投、真格基金、和暄资本、雄牛资本、绅湾资本。本轮融资将主要用于进一步深耕市场,加大智能制造产品技术研发投入,推动更多场景规模化落地。思谋科技成立于2019年,是全链条AI前沿技术公司,致力于AI系统架构在智能制造、超高清视频领域的落地应用。目前,思谋已在汽车制造、消费电子、半导体和精密光学等领域研发并量产了超过30款智能制造软硬一体化产品。思谋科技官网消息显示,在半导体领域,其已与多家国家重点企业合作,从晶圆检测、到PCB检测、再到芯片工艺分析,推出了数十套AI+方案和软硬一体化设备。传统AOI质检

  供应链人士指出,长江存储和长鑫存储随着制程良率提升,今年产能规模也将逐步扩大。与此同时,中国大陆存储厂商的重要性最快在2021年底~2022年将逐渐凸显,并对整体产业供需带来影响。digitimes报道称,市场此前传出长江存储计划到今年下半年将存储芯片的月产量提高一倍,至10万片晶圆,约占全球总产量的7%。不过长江存储随后便否定的传言,称下一步建设计划具体情况以官方渠道为准。业界表示,长江存储能否顺利跻身全球NAND Flash的“第一梯队”,将取决于下半年128 层NAND的量产进度是否顺利。若良率能够如期改善,长江存储就能投入更多资源去扩大产能。另外,台系供应链消息称上游DRAM晶圆产能紧缺,部分存储IC设计厂商开始转向中国大陆

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